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2011年8月5日—侧墙的形成主要有两步:1.在薄膜区利用化学气相淀积设备淀积一层二氧化硅。2.然后利用干法刻蚀工艺刻掉这层二氧化硅。由于所用的各向异性,刻蚀工具使用 ...,,由李明才著作·1991—目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕刻的非等向性蝕刻...
報告題名: 高介電空間層無源汲極接面電晶體之特性模擬研究
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由陳昱志著作—本專題研究我們利用高介電係數閘極側壁空間層(Spacer)進行短.通道無接面電晶體(JL-FET)之特性改善研究,透過理論分析與元件模.擬預測結果。藉由使用半導體元件模擬軟體 ...
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